砷化镓晶圆
化学式: GaAs, 分子量 144.64
特性:
立方晶体，深灰色，具有金属光泽，熔点1238°C，硬度4.5， 热膨胀系数5.9x10⁻⁶，热导率0.52，密度5.31
应用:
GaAs有多种应用，主要是LED（发光二极管）、GaAs IC、FET（场效应晶体管）， 也用于LD激光器、霍尔传感器器件，预计在太阳能电池开发中也有应用。
制造方法:
- HB方法（水平布里奇曼工艺）
- LEC方法（液封切克劳斯基工艺）
产品
化学式: GaAs, 分子量 144.64
特性:
立方晶体，深灰色，具有金属光泽，熔点1238°C，硬度4.5， 热膨胀系数5.9x10⁻⁶，热导率0.52，密度5.31
应用:
GaAs有多种应用，主要是LED（发光二极管）、GaAs IC、FET（场效应晶体管）， 也用于LD激光器、霍尔传感器器件，预计在太阳能电池开发中也有应用。
制造方法:
| 参数 | 单位 | VGF/LE-VB生长 2英寸 |
VGF/LE-VB生长 3英寸 |
LEC生长 3英寸 |
LEC生长 4英寸 |
LEC生长 6英寸 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 导电类型/掺杂剂 | - | SC, SI /Si, Zn, 未掺杂 | SC, SI /Si, Zn, 未掺杂 | SI / 未掺杂 | SI / 未掺杂 | SI / 未掺杂 |
| 直径 | 英寸 | 2 | 3 | 3 | 4 | 6 |
| 直径 | mm | 50.8 ± 0.1 | 76.2 ± 0.1 | 76.2 ± 0.1 | 100 ± 0.1 | 150 ± 0.1 |
| 取向 | - | (100) ± 0.3° | ||||
| 偏角A | ° | 2° ± 0.3° | ||||
| 偏角B | ° | 15° ± 0.3° | 15° ± 0.3° | 按要求 | ||
| 厚度* | μm | 350 ± 25 | 625 ± 25 | 625 ± 25 | 625 ± 25 | 675 ± 25 |
| TTV* | μm | ≤ 5 | ≤ 5 | ≤ 5 | ≤ 6 | ≤ 7 |
| TIR* | μm | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 5 | ≤ 6 |
| 翘曲* | μm | ≤ 10 | ≤ 15 | ≤ 7 | ≤ 10 | ≤ 15 |
| 电阻率 | Ω·cm | 0.001 ~ 0.1 (Si掺杂) | 0.001 ~ 0.1 (Si掺杂) | > 1E7 | > 1E7 | > 1E7 |
| 霍尔迁移率 | cm²/v·sec | 1,000 ~ 3,000 (Si掺杂) | 1,000 ~ 3,000 (Si掺杂) | > 5,000 | > 6,000 | > 7,000 |
| EPD（蚀刻坑密度） | cm⁻² | < 500 | < 1,000 | < 8E4 | < 1E5 | < 1.5E5 |
请填写以下表格，详细说明您的砷化镓晶圆服务需求。 我们的晶圆销售团队将审核您的请求，并通过提供的联系信息及时回复。