제품소개
화학식 (Chemical Formula): GaAs, 분자량 (Molecular Weight) 144.64
성상 (Properties):
입방결정, 외관은 금속성 광채를 띤 진한 회색,융점 1238C, 경도 4.5, 열 팽창계수 5.9x10-6, 열전도율 0.52, 밀도 5.31
용도 (Applications):
GaAs의 용도는 다양하여 주로 LED (Light Emission Diode), GaAs IC, FET (Field Effect Transistor) 등이 있고 이외에 LD 레이저 (LD Laser), Hall Sensor 소자 등에 사용되고 있고, 최근 태양전지 개발에 그 응용이 기대되고 있습니다.
제법 (Manufacturing Method):
| Parameter | Unit | VGF/LE-VB Grown 2 inch |
VGF/LE-VB Grown 3 inch |
LEC Grown 3 inch |
LEC Grown 4 inch |
LEC Grown 6 inch |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Conduction Type/Dopant | - | SC, SI /Si, Zn, Undoped | SC, SI /Si, Zn, Undoped | SI / Undoped | SI / Undoped | SI / Undoped |
| Diameter | inch | 2 | 3 | 3 | 4 | 6 |
| Diameter | mm | 50.8 ± 0.1 | 76.2 ± 0.1 | 76.2 ± 0.1 | 100 ± 0.1 | 150 ± 0.1 |
| Orientation | - | (100) ± 0.3° | ||||
| Off Orientation A | ° | 2° ± 0.3° | ||||
| Off Orientation B | ° | 15° ± 0.3° | 15° ± 0.3° | Upon Request | ||
| Thickness* | μm | 350 ± 25 | 625 ± 25 | 625 ± 25 | 625 ± 25 | 675 ± 25 |
| TTV* | μm | ≤ 5 | ≤ 5 | ≤ 5 | ≤ 6 | ≤ 7 |
| TIR* | μm | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 5 | ≤ 6 |
| Warp* | μm | ≤ 10 | ≤ 15 | ≤ 7 | ≤ 10 | ≤ 15 |
| Resistivity | Ω·cm | 0.001 ~ 0.1 (Si Doped) | 0.001 ~ 0.1 (Si Doped) | > 1E7 | > 1E7 | > 1E7 |
| Hall Mobility | cm²/v·sec | 1,000 ~ 3,000 (Si Doped) | 1,000 ~ 3,000 (Si Doped) | > 5,000 | > 6,000 | > 7,000 |
| EPD (Etch Pit Density) | cm⁻² | < 500 | < 1,000 | < 8E4 | < 1E5 | < 1.5E5 |
GaAs Wafer Service에 대하여 전적의회 하실 사항을 자세히 기재하여 전송하여 주시면 Wafer 영업 담당자가 접수한 후 기재된 연락처나 e-mail로 신속한 답변을 드리겠습니다.