关于晶圆

硅在自然界中以氧化物（SiO2）的形式存在于沙子、石头和矿物中，是一种非常丰富的元素， 约占地球地壳的1/3。由于这种丰富性、无毒性和稳定性，它被评价为半导体工业的优良环保材料。

由硅制成的晶圆具有较宽的能带隙（Energy Band gap，1.2eV），允许器件在相对较高的温度（约200°C）下工作。

硅从沙子中提取，精炼成高纯度多晶硅，然后制造单晶硅晶圆。使用这些晶圆，制造了DRAM、ASIC、TR、MOSFET、CMOS、PMOS、ROM和EP-ROM等各种器件， 这些器件目前被用作所有工业领域的核心组件，包括电子产品、工业自动化设备、计算机和卫星。

随着半导体器件的高度集成，器件良率和质量往往对作为原材料的晶圆的特性敏感响应。

晶圆质量特性（晶体缺陷），如COP、FPD、OISF和LDP（理论上存在），从晶圆中心到边缘依次出现， 已确认这会影响器件良率和质量。

为了解决这些问题，已经开发了一种新的无缺陷硅（SD，Defect-Free Silicon）晶圆概念， 完全去除晶体缺陷，大大提高了从晶圆中心到边缘的质量均匀性。